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二硅化鉬 Molybdenum disilicide(MoSi2)
產(chǎn)品名稱(chēng):二硅化鉬(MoSi2) 規(guī)格:0.8-10um(D50)   形貌:不規(guī)則 顏色:黑灰色  特點(diǎn):高熔點(diǎn)(1930-2030℃)、低密度(6.31 g/cm³)、良好的‌導(dǎo)熱性、‌導(dǎo)電性和高溫抗氧化性 用途:高溫抗氧化涂層材料、‌電加熱元件、‌集成電極薄膜、‌結(jié)構(gòu)材料、復(fù)合材料的‌增強(qiáng)劑、‌耐磨材料、結(jié)構(gòu)陶瓷的‌連接材料等領(lǐng)域
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產(chǎn)品詳情
二硅化鉬 Molybdenum disilicide(MoSi2)

產(chǎn)品名稱(chēng):二硅化鉬(MoSi2

規(guī)格:0.8-10um(D50)  

形貌:不規(guī)則

顏色:黑灰色 

特點(diǎn):高熔點(diǎn)(1930-2030℃)、低密度(6.31 g/cm³)、良好的‌導(dǎo)熱性、‌導(dǎo)電性和高溫抗氧化性

用途:高溫抗氧化涂層材料、‌電加熱元件、‌集成電極薄膜、‌結(jié)構(gòu)材料、復(fù)合材料的‌增強(qiáng)劑、‌耐磨材料、結(jié)構(gòu)陶瓷的‌連接材料等領(lǐng)域

中文名:二硅化鉬

外文名:Molybdenum Silicide

化學(xué)式:MoSi2

分子量:154.13

CAS登錄號(hào):12136-78-6

EINECS登錄號(hào):235-231-8

熔 點(diǎn):1930 ℃

密 度:6.31 g/cm³( at 25 °C(lit.))

電阻率 (resistivity): 21.5 (ρ/μΩ.cm)

外 觀(guān):灰色金屬固體

性質(zhì):具有良好的高溫穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,是一種重要的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料。硅化鉬具有高硬度、高強(qiáng)度、高耐磨性和高導(dǎo)電性等特點(diǎn),是一種多功能材料。

生產(chǎn)工藝:Mo+2Si→MoSi2 二種元素直接反應(yīng)可制得MoSi2

應(yīng)用領(lǐng)域:

 1. 高溫結(jié)構(gòu)材料

抗氧化性能:MoSi?在高溫下(1200-1600°C)表面形成致密的SiO?氧化層,有效防止進(jìn)一步氧化,適合用于高溫氧化環(huán)境。應(yīng)用領(lǐng)域:燃?xì)廨啓C(jī)葉片、航天器熱防護(hù)部件、高溫爐內(nèi)襯等。

 2. 電熱元件

 高溫穩(wěn)定性:作為電爐加熱元件(如MoSi?發(fā)熱體),可在空氣中使用至1800°C,尤其適用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)高溫爐。優(yōu)勢(shì):較傳統(tǒng)材料(如硅碳棒)壽命更長(zhǎng),無(wú)需保護(hù)氣氛。

3. 涂層與防護(hù)

抗氧化涂層:用于鉬、鎢等難熔金屬的表面涂層,防止高溫氧化,延長(zhǎng)部件壽命。應(yīng)用場(chǎng)景:航空發(fā)動(dòng)機(jī)、火箭噴嘴、玻璃制造設(shè)備的耐高溫部件。

 4. 電子與半導(dǎo)體

集成電路:作為柵極或互連材料,因低電阻率和良好的熱穩(wěn)定性,適用于高功率器件。薄膜技術(shù):用于薄膜電阻和傳感器,特別是在高溫或腐蝕性環(huán)境中。

 5. 復(fù)合材料增強(qiáng)相

增韌作用:作為陶瓷基復(fù)合材料(如SiC、Al?O?)的增強(qiáng)相,提升抗熱震性和斷裂韌性。應(yīng)用實(shí)例:高溫耐磨部件、核反應(yīng)堆結(jié)構(gòu)材料。

6. 催化劑

催化應(yīng)用:MoSi?及其衍生物在某些化學(xué)反應(yīng)中(如甲烷重整、氨氧化)表現(xiàn)出催化活性,可能用于石油化工或環(huán)保領(lǐng)域。

 7. 其他用途

玻璃工業(yè):用于熔融玻璃的電極和坩堝,耐高溫腐蝕。

耐磨材料:高硬度特性使其適用于耐磨涂層或切削工具。

包裝儲(chǔ)存:本品為充惰氣塑料袋包裝,密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜暴露空氣中,防受潮發(fā)生氧化團(tuán)聚,影響分散性能和使用效果;包裝數(shù)量可以根據(jù)客戶(hù)要求提供分裝。

硅化鉬生產(chǎn)廠(chǎng)家

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